시지트로닉스, K-방산 핵심 'AESA 레이다용 고출력 반도체' 개발 완료

20W급 X-Band PA MMIC 성능 검증 완료…차세대 방산 반도체 시장 진출 본격화

ⓒ 시지트로닉스

[프라임경제] 차세대 특화반도체 전문기업 시지트로닉스(429270)는 K-방산 무기 체계의 핵심이 될 '첨단 레이다용 고출력 반도체(X-Band PA MMIC)' 개발을 완료하고 성능 검증까지 성공적으로 마쳤다고 10일 밝혔다.

그동안 전자기기 보호소자와 센서 분야에서 탄탄한 기술력을 쌓아온 시지트로닉스는 이번 성과를 통해 진입 장벽이 높은 '방산용 차세대 반도체' 시장으로 사업 영토를 본격 확장하게 됐다.

시지트로닉스가 개발한 고출력 반도체는 최신형 전투기나 함정에 탑재되는 '능동위상배열(AESA) 레이다'의 송신부에 들어가는 핵심 부품으로 이 반도체의 성능이 레이다의 탐지거리와 정확도를 좌우한다. 현재 글로벌 방산 시장에서는 열에 강하고 출력이 높은 차세대 소재(GaN-on-SiC)를 활용한 고출력 반도체 수요가 폭발적으로 증가하고 있다.

시지트로닉스의 신제품은 작은 크기의 칩 하나가 높은 출력(20W급)을 내는 것이 특징으로 특히 레이다의 신호를 증폭시키는 성능을 세계 최고 수준으로 끌어올렸으며, 전력 효율 역시 크게 개선했다. 이를 통해 방산 기업들은 레이다 시스템의 크기와 부피를 줄이면서도 탐지 성능은 극대화할 수 있게 됐다.

이번 기술은 한국전자통신연구원(ETRI)의 기술 이전을 바탕으로 시지트로닉스의 독자적인 반도체 설계 및 공정 노하우가 더해져 완성됐다. 관련 연구 결과는 세계적인 권위의 국제 학술지(IEEE)에 투고되어 현재 심사가 진행 중으로, 글로벌 시장에서도 기술력을 공인받을 수 있을 것으로 기대된다.

해당 반도체는 AESA 레이다뿐만 아니라 최근 중요성이 커지고 있는 '대드론(Anti-Drone) 방어 시스템', 전자전 장비, 항공 및 함정용 감시 레이다 등 다양한 첨단 무기 체계에 폭넓게 적용될 수 있다. 

회사는 향후 출력을 더욱 높인 제품과 Ku-Band, Ka-Band 등 차세대 RF 반도체 제품군으로 기술 개발 범위를 확대할 계획이다.

시지트로닉스 관계자는 "이번 X-Band GaN MMIC는 당사가 보유한 GaN 공정기술과 RF설계기술을 집약해 개발한 첫 방산분야 성과"라며 "앞으로 고출력 RF 반도체 라인업을 확대하고, 본격적인 양산 체제 구축과 글로벌 방산 시장 진출에 속도를 내겠다"고 말했다.