





[프라임경제] 화합물 반도체 전문기업 RFHIC(218410)와 SiC 전력반도체 제조사 예스파워테크닉스가 'GaN(갈륨나이트라이드, 질화갈륨) 기반 차세대 화합물반도체' 생산에 본격적으로 나선다고 26일 밝혔다.
GaN 화합물반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 전력반도체에 비해 높은 전력 효율과 내구성을 갖추고 있다. 사용 전압이 낮고 고주파에 강해 5G 기지국이나 자율주행용 센서, 전기차 내부 전원장치, 무선·고속 충전기 등에 주로 사용된다.
조덕수 RFHIC 대표는 "RFHIC와 예스파워테크닉스가 이번 MOU를 시작으로 GaN RF 소자와 전력반도체를 국산화할 것"이라며 "보다 빠른 양산을 위하여 해외 주요 화합물 파운드리 기업들과 협업을 할 계획"이라고 말했다.
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