SK하이닉스, '탄소 줄이고 생산량 더 많은' EUV D램 양산

"높은 수익성 기대할 수 있는 제품…최첨단 기술 선도하는 기업 위상 공고히 할 것"

[프라임경제] SK하이닉스(000660)가 생산성을 높이고 전력 소비는 줄인 10나노급 4세대 D램을 본격 양산한다. 탄소배출 감축까지 이어지는 기술로, 이들이 추구하는 ESG 경영에도 힘을 보탠다는 평가다.

SK하이닉스는 12일 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 밝혔다. LPDDR4는 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. △1세대 1x △2세대 1y △3세대 1z △4세대 1a로 이름 붙였다. SK하이닉스가 양산하는 가장 상위 기술인 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품이 스마트폰 제조사들에 공급되는 시점은 하반기로 예정됐다.

SK하이닉스가 EUV를 활용해 10나노급 4세대 D램을 양산한다. ⓒSK하이닉스

제품은 SK하이닉스가 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산하는 D램으로 시장에서 주목받고 있다. 앞서 EUV는 1y(2세대) 제품 생산 과정에 도입돼 안정성이 확인됐다.

극자외선을 이용해 빛을 투사해주는 노광 장비인 EUV는 공정이 극도로 미세화되면서 반도체 기업들의 주목을 받고 있다. 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. 이에 업계는 앞으로 기술 리더십 우위를 결정짓는 데 EUV 활용 수준이 중요한 요소가 될 것으로 보고 있다.

SK하이닉스의 이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하는 것은 물론 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 이는 탄소 배출 감소로도 이어져 SK그룹의 ESG 경영 가치에도 부합한다는 설명이다.

이번 1a D램은 이전 세대(1z) 동일 규격 제품 대비 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량도 약 25% 늘었다. 생산성까지 향상돼 원가 경쟁력에서도 우위를 차지할 수 있을 것으로 보인다.

이에 업계에선 SK하이닉스가 서버용 D램까지 EUV를 적용해 메모리 물량을 크게 늘릴 수 있을 것으로 내다보고 있다. SK하이닉스도 이번에 EUV 공정기술 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 전 제품에 EUV를 활용하겠다는 방침이지만 아직 정확한 스케줄은 나오지 않았다.

SK하이닉스 관계자는 "LPDDR4에 이어 앞으로 D램 양산에 EUV를 적용할 예정"이라며 "이번 양산 발표로 EUV를 활용한 양산 안정성을 확보했다는 데 의미가 있다"고 말했다.