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그동안 휴대용 전자기기에 주로 사용되는 66나노 1Gb 모바일 D램과 그래픽 카드 및 게임기 등에 사용되는 66나노 1Gb GDDR5 그래픽스 D램 그리고 24단 낸드 플래시 초박형 멀티칩패키지 등 고부가가치 제품들을 세계 최초로 개발해온 하이닉스반도체는 최근 54나노 1Gb DDR2 D램 제품의 인텔사 인증도 획득하는 등 뛰어난 R&D 성과를 달성해 업계 선도 업체로서 위상을 공고히 했다.
이에 하이닉스 관계자는 "제품개발 기획단계부터 제조까지 모든 업무 프로세스를 통합 관리할 수 있는 혁신시스템을 도입해 제품의 개발 시기를 단축하는 한편, 낭비요소를 제거할 수 있는 COPQ(Cost of Poor Quality) 체계를 구축해 연 30%이상의 기회비용을 절감할 계획이다"고 밝혔다.
아울러 주어진 문제를 극복하고 혁신적인 해결방안을 얻을 수 있는 창의적 문제해결 이론인 트리즈(TRIZ)를 적극 업무에 도입해 창조적 R&D 역량을 강화한다고 덧붙였다.
한편 중장기 발전을 위한 R&D 투자는 물론 연구개발 투자를 지난해 매출액 대비 6%에서 금년에는 약 8%수준으로, 2009년에는 10%까지 확대하여 경쟁우위의 기술개발 및 미래기술 확보에 R&D 역량을 집중할 예정이다.
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