하이닉스, 54나노 D램 양산 나서

[프라임경제]하이닉스반도체는 54나노 공정 기술 개발을 끝내고 미국 인텔로부터 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득했다고 25일 밝혔다. 

54나노 1Gb DDR2 D램은 정보처리 속도가 800Mbps에 달하는 초고속 제품으로, 현재 양산 중인 66나노 공정에 비해 50％ 이상 생산성이 증가된다. 인텔 인증은 새로 개발된 D램 등이 상용 제품에 쓰이는 데 적합하다는 것을 의미하는 사실상 업계 공인으로, 제품 양산과 상업화를 위한 주요 절차다.

하이닉스는 이 공정 기술을 1Gb DDR3 D램 제품까지 확대시킬 계획이며, 1Gb DDR2 D램 제품을 DDR3 D램 제품과 더불어 내년 하반기부터 본격 양산하기로 했다.

하이닉스가 50나노급 1Gb D램에서 인텔 인증을 받은 것은 삼성전자(7월)에 이어 두 번째다. 해외 업체들이 여전히 70-80나노 제품에 매달리고 있다는 점에서 국내 반도체 업체들이 내년에도 세계 D램 시장을 선도할 전망이다.