삼성전자, 3비트 3차원 V낸드플래시 메모리 양산

[프라임경제] 삼성전자가 세계 최초로 3비트 3차원 V낸드플래시 메모리 양산을 본격 시작했다고 9일 밝혔다. 

3비트 V낸드는 독자 기술인 3차원 CTF셀을 32단까지 수직 적층한 2세대 V낸드 공정은 유지하면서 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘리는 데 성공, 셀 저장 용량을 1.5배 확대했다. 이에 따라 기존 10나노급 평면구조 낸드 제품보다 생산성이 2배 이상 향상됐다.