웨이비스, KDDX 다기능레이더 핵심 부품 '국산화 성공'…"국내 무기체계 적용"

주문자제작 방식 다기능레이더용 S대역 고출력 GaN 트랜지스터·송신모듈 공급

주문자 제작 방식 다기능레이더용 S대역 고출력 GaN 트랜지스터·송신모듈 공급

ⓒ 웨이비스

[프라임경제] 고주파(RF) 질화갈륨(GaN) 반도체·방산 전문기업 웨이비스(289930)는 한국형 차기 구축함(KDDX) 다기능레이더의 핵심 부품을 레이더 체계 수요자의 요구 사양에 맞춰 국내 최초로 개발된 수요 맞춤형 국방반도체 칩과 이를 활용한 송신 모듈이 국내 무기체계에 적용된다고 10일 밝혔다.

 

한화오션이 방위사업청과 KDDX 상세설계 및 선도함 건조 사업 본계약을 체결하며 사업을 본격화하고 있다. 총사업비 약 7조8000억 원이 투입되는 KDDX 사업은 7000톤급 구축함 6척을 순수 국내 기술로 확보하는 사업이다. 

정부는 2032년 선도함 전력화를 시작으로 2036년까지 구축함 6척을 순차적으로 해군에 배치할 계획이며, 선도함에는 국산 핵심 개발 장비 9종이 탑재될 예정이다.

 

웨이비스는 이번 사업에서 국내 팹(FAB)에서 생산한 S대역 고출력 트랜지스터와 이를 적용한 송신모듈을 공급하며, 해당 부품은 KDDX 다기능레이더 시스템에 적용된다.

 

다기능레이더 송수신부에 적용되는 GaN 반도체는 고전압·고출력·초고주파 환경에서 사용되는 핵심 부품으로, 그동안 해외 의존도가 높아 안정적인 공급망 확보의 필요성이 지속적으로 제기돼 왔다.

웨이비스는 KDDX의 핵심 센서인 다기능레이다 시스템에서 요구되는 성능을 만족하는 칩을 공급하기 위해 주문제작 방식을 채택하였으며 칩의 설계부터 제조까지 전 과정을 자체 기술로 수행하여 해외 수입에 의존하던 핵심 부품을 국내기술로 개발하는 데 성공했다. 

이를 통해 국내 무기체계 개발단계부터 국내에서 설계·생산된 국방반도체를 적용할 수 있는 기반을 구축했다.

이번 KDDX 사업 참여를 통해 웨이비스는 방산 분야에서 안정적인 양산 매출 기반을 확보할 것으로 기대하고 있다. 또한 후속 함정 건조와 유지보수 사업 등을 통해 관련 사업 기회도 확대될 것으로 전망하고 있다.

회사는 이번 S대역 고출력 트랜지스터 개발에 이어 S대역 및 X대역 고집적 칩인 GaN MMIC 국산화도 추진하고 있다. GaN MMIC까지 국산화가 완료되면 함정용 레이더를 비롯한 국내 방산 전자장비의 해외 의존도를 더욱 낮출 수 있을 것으로 기대된다.

웨이비스는 국내에서 유일하게 RF GaN 반도체 제조를 위한 팹 일관 생산라인을 자체 보유 및 운영하고 있다. 

설계부터 생산까지 반도체 개발 및 양산 공정을 내재화해 고객 요구에 따른 신속한 설계 변경이 가능하며, 평균 납품 리드타임도 약 7주 수준으로 경쟁력을 확보하고 있다. 

회사는 이러한 기술력을 바탕으로 KDDX를 비롯해 L-SAM, 차세대 호위함(Batch-Ⅲ·Batch-Ⅳ) 등 국내 주요 방산 사업에 참여하며 국산화 실적을 확대해 왔다고 설명했다. 

웨이비스 관계자는 "KDDX 사업은 국내 기술로 개발한 RF GaN 반도체를 실제 무기체계에 적용하는 의미 있는 사례"라며 "앞으로도 RF GaN 반도체 기술 고도화와 생산 역량 확대를 통해 국내 방산 공급망 안정화와 국방반도체 산업 경쟁력 강화에 기여하겠다"고 말했다.

한편 회사는 충남 천안테크노파크에 차세대 통합 생산시설을 구축하고 있으며, 2027년 상반기 가동을 목표로 하고 있다. 

또한 최근 과학기술정보통신부 주관 AI 전환 지원사업의 주관기업으로 선정돼 RF GaN 반도체 생산공정에 AI 기반 수율 관리 체계를 도입하는 등 생산 경쟁력 강화도 추진하고 있다.