삼성전자, 3D 메모리 'zHBM' 공개…메모리 장벽 돌파

HBM5 대비 전성비 3배…zNAND-O 목업도 선봬

[프라임경제] 삼성전자(005930)가 인공지능(AI) 모델 운용 과정에서 생긴 메모리 장벽을 극복할 돌파구로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 'zHBM'을 선보였다. 

4일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 'FMS 2026'에서 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무가 발표를 하고 있는 모습. ⓒ 삼성전자

삼성전자는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막한 메모리 행사 'FMS 2026'에서 zHBM과 zNAND-O 목업을 업계 최초로 공개했다고 밝혔다. 목업은 제품의 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형이다.

고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서 기존 고대역폭메모리(HBM)만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있다.

이를 극복하기 위한 대안이 바로 zHBM이다. zHBM은 기존에 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.

AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화함으로써 대역폭과 전력효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다.

삼성전자 V10 BV-NAND 제품. ⓒ 삼성전자

삼성전자에 따르면 zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 전력 효율은 최대 3배에 달한다.

3차원 낸드(NAND) 플래시인 zNAND-O도 공개했다. zNAND-O는 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.

아울러 이번 행사에서 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-NAND 'V10 BV-NAND'도 공개했다.