삼성전자 "올해 HBM 공급 3배 이상 늘린다"

HBM3E 12단 2분기 중 양산…美 테일러 파운드리 공장 2026년 가동

[프라임경제] 올해 1분기 호실적을 낸 삼성전자(005930)가 고부가 비중을 확대해 수익성 확보에 주력한다. 고대역폭 메모리(HBM)의 공급 규모를 3배 이상으로 늘리고 5세대인 HBM3E 12단 제품을 2분기 내 양산할 계획이다.

서울 서초구 삼성전자 서초사옥 모습. ⓒ 연합뉴스

김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 30일 올해 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 공급 규모는 비트(bit) 기준 전년 대비 3배 이상 지속적으로 늘려가고 있고, 해당 물량은 이미 공급사와 협의를 완료했다"며 "2025년에도 올해 대비 최소 2배 이상의 공급을 계획하고 있으며 고객사와 협의를 원활하게 진행 중"이라고 밝혔다. 

HBM3E 12단 제품 샘플은 현재 공급 중이며, 2분기 중 양산 예정이다. 

김 부사장은 "HBM3E 8단 제품은 이미 초기 양산을 개시했고, 빠르면 2분기 말부터 매출이 발생할 것으로 전망된다"고 내다봤다.

이어 "올해 하반기 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 고용량 HBM 시장 선점에 주력하겠다"며 "HBM3E 비중은 연말 기준 HBM 판매 수량의 3분의 2 이상에 이를 것"이라고 덧붙였다.

HBM3E 12H D램 제품 이미지. ⓒ 삼성전자

또한 2분기엔 서버 D램과 SSD 출하량을 전년 동기 대비 각 50%, 100% 이상 확대할 계획이다.

D램은 1b나노 32Gb(기가비트) DDR5 제품을 빠른 속도로 도입하고, AI 서버와 연계된 고용량 DDR5 모듈 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화한다. 

낸드는 V8 기반 Gen5 SSD 등을 통해 서버용 고부가가치 수요에 대응하고, 3분기에 V9 QLC(Quadruple Level Cell) 양산을 통해 기술 리더십을 더욱 공고히 할 계획이다.

시스템LSI는 첨단 공정 기반의 신규 웨어러블용 제품 출하를 준비 중이다.

파운드리(반도체 위탁생산)는 전체 시장 성장은 제한적이지만, 삼성전자는 5나노 이하 첨단 노드 매출 증가로 올해 매출이 시장 성장률을 상회할 것으로 예상된다. 또 2나노 공정 성숙도를 개선해 고성장 응용처 중심으로 수주 확대를 추진할 계획이다. 

삼성전자는 미국 테일러 파운드리 공장 가동을 2026년 본격 가동한다. 최근 2030년까지 미국에 총 450억달러(한화 약 62조원)을 투자해 생산 시설을 짓겠다고 발표했다.

송태중 파운드리사업부 상무는 "연구개발(R&D)과 첨단 패키지 라인이 투자 범위에 추가돼 향후 미국 내 400억달러 이상을 투자할 전망"이라며 "미국 정부와 최종 협상이 남아 있어 변동 가능성이 있다"고 했다.