차세대 반도체 ‘국제표준’ 만든다

삼성전자 - 하이닉스 ‘3대 기술협력’ 합의

[프라임경제]국내 반도체 업계가 차세대 반도체 시장을 겨냥한 연합전선을 구축한다.

삼성전자와 하이닉스는 세계 1위 메모리반도체 강국의 위상을 더욱 강화하기 위해서는 공동으로 차세대 반도체 시장에 대응해야 한다는 데 공감하고, ‘新 메모리 공동 R&D’, ‘반도체산업 표준화’, ‘장비 재료 국산화 확대’를 핵심으로 하는「반도체 3대 기술협력」을 적극 추진하기로 합의했다고 26일 밝혔다.

반도체 업계는 반도체산업 실적부진 장기화와 치열한 국제경쟁에 대한 근본적 대안을 마련하기 위해 대기업-대기업간 공동 R&D로 기술 경쟁력을 높이고, 아울러 대기업-중소기업간 기술지원으로 장비 소재 국산화를 확대하는「포괄적 기술협력」전략을 추진한다. 

아울러 지식경제부와 반도체 업계는 차세대 반도체 제품, 장비재료 시장 선점 및 국내 생산라인 효율성 증대를 위한 업계 공동의 ‘표준화 전략’을 사상 최초로 추진한다. 특히 2012년 450mm 웨이퍼로의 규격 전환에 대비하여, 우리 업계는 450mm 국제 표준 선점을 통해 대규모의 신규 장비․재료 시장 주도권을 확보할 계획이다. 

지경부는 8월 중 산학관 공동의 ‘표준화 협의체’를 구성하고, 장비 재료 제품의 3개 분야별 워킹그룹을 중심으로 국내 및 국제 표준 활동을 병행할 계획이다. 신규 450mm 장비 재료는 국제 표준기구에서의 우리 업계 주도권 확보 및 국내 장비․재료 개발 로드맵을 수립하고, 기존 300mm 장비 재료는 생산 효율성 증대를 위한 ‘300mm Prime’ 전략을 추진하고, 차세대 반도체 제품 분야는 원천기술 개발 → 지적재산권 → 성능평가 → 표준화가 유기적으로 연계될 수 있도록 ‘R&D + 표준화’ 통합 전략을 전개한다. 

우선 삼성전자 하이닉스는 메모리 세계 1위에도 불구하고 핵심 원천기술은 여전히 해외에 의존하는 문제점을 극복하기 위해, 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동 R&D를 금년 9월부터 본격 개시한다. 

특히 양사는 2012년 시장이 형성될 것으로 예상되는 ‘STT-MRAM’을 중점 개발할 계획으로, 향후 원천기술 선점시 年 5억불 이상의 로열티 효과가 발생하게 된다.

우리 업계가 과거 공동 R&D를 통해 2000년대 메모리 1위로 도약한 것처럼 금번 공동R&D 역시 2010년대 차세대 메모리 1위로 나아가는 중요한 계기가 될 전망이다. 

아울러 차세대 반도체 공동 R&D를 통한 지적재산권 공동 선점은 향후 경쟁국(일본, 대만, 중국 등) 특허견제, 국제 특허분쟁 공동대응 등이 가능한 한국형 ‘IP 컨소시엄’으로 발전할 것으로 기대된다. 

반도체 대기업 3사(삼성, 하이닉스, 동부)는 지난 해부터 추진해 온 국내 ‘장비․재료 성능평가’ 지원사업을 금년 하반기부터 질적으로 확대 추진한다. 대기업 3사는 7월부터 개시하는 33개 국산 장비․재료에 대한 성능 평가 → 공동 인증 → 구매 검토 과정에서 맞춤형 기술지도를 강화함으로써, 자생력 있는 ‘輸出形 중소기업’으로의 성장을 지원할 계획이다.

또한 금년부터 삼성전자 하이닉스는 반도체 장비․재료의 실질적인 국산화율 향상을 위한 자체 ‘국산화 전략’을 병행 추진함으로써, 내년까지 총 6,463억원 규모의 국산 장비․재료를 추가 구매(07~09년)할 것으로 기대된다.