'국내 유일 GaN 생산기업' 알에프에이치아이씨, 내달 초 코스닥 상장

미래 신소재 'GaN on Diamond'로 5G 시장 공략…"글로벌 업체 뛰어넘을 것"

조덕수 알에프에이치아이씨 대표가 엔에이치스팩8호와의 합병상장을 앞두고 가진 기자간담회에서 프레젠테이션을 진행 중이다. ⓒ 프라임경제

[프라임경제] 알에프에이치아이씨(대표 조덕수)가 엔에이치스팩8호와의 합병상장을 앞두고 21일 여의도에서 기자간담회를 진행했다.

1999년에 설립된 알에프에이치아이씨(RFHIC)는 국내 1위 무선주파수(RF Radio Frequency) 증폭기 제조업체로, 무선통신장비용 반도체 부품을 전문적으로 생산 및 판매하고 있다.

본사는 국내에서 유일하게 GaN(질화칼륨) 소재를 적용한 GaN 트랜지스터 및 통신용, 레이더용 전력증폭기를 생산 중인 기업으로, 기존 시장을 장악하던 실리콘 기반 'LDMOS' 소재와 경쟁할 수 있는 체제를 구축했다.

조덕수 RFHIC 대표는 "5G 시대가 본격화되면 GaN 소재의 트랜지스터, 전력증폭기 사용은 필수가 될 것"이라며 "당사는 GaN 기술을 우위로 한 기반 점유율 확대 중으로 글로벌 통신장비 기업과 모두 거래하며 관련 제품을 지속적으로 개발하고 있다"고 말했다.

실제 RFHIC는 끊임없는 투자로 지난 2014년엔 세계 1위 통신장비업체인 화웨이와 거래를 시작했고, 지난해 매출액 절반을 화웨이와의 거래에서 올리며 기존 거래처인 삼성전자를 비롯한 거래처 다변화에 성공했다. 올해엔 노키아 등 신규거래처를 추가로 확보하기도 했다.

한편 RFHIC는 통신부문에서 획득한 노하우를 바탕으로 방산부문 진출 및 사업영역을 확장하고 있다.

국내 방산업체인 LIG넥스윈 및 글로벌 방산업체인 록히드 마틴(Lockheed Martin), BAE 시스템스(Systems), 레이시온(Raytheon), 에어버스방위(Airbus Defense), 해리스(Harris) 등의 기업에 업체등록을 완료하며 향후 군사용 레이더 시스템 시장에 가격경쟁력을 지닌 제품을 공급할 계획이다.

미래 신소재(GaN on Diamond) 웨이퍼 개발 및 양산으로 경쟁사와의 기술 격차도 확대할 예정이다.

조 대표는 "다양하게 활용 가능한 GaN on Diamond를 통해 세계 최초로 무선통신시장과 방산시장에 적용할 것"이라며 "화학물 반도체 자체 제작이 가능한 소재회사로의 발전도 기대하고 있어 기존의 글로벌 업체들을 뛰어넘는 기업으로 성장할 것"이라고 자신했다.

RFHIC의 지난해 매출액은 612억원으로 2015년 497억원 대비 100억원 이상 증가했다. 올해 3월 엔에이치스팩8호와 합병계약을 체결한 RFHIC는 GaN on Dimond를 활용한 제품 개발 등에 합병유입자금을 사용할 계획이며, 다음 달 1일 합병 신주상장을 예정하고 있다.