SK하이닉스, HBM3E 12단 3분기 양산…"내년 물량도 완판"

곽노정 사장, HBM 과잉 공급 우려 일축…"연평균 60% 시장 성장 예상"

"세계 최고 성능 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 12단 제품은 이달 고객사에 샘플을 제공하고, 3분기 양산이 가능하도록 준비하고 있다"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 'AI시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자간담회를 진행하고 있다. ⓒ SK하이닉스

곽노정 SK하이닉스(000660) 대표이사 사장은 2일 경기도 이천 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 "현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃(완판)인데, 내년도 거의 솔드아웃됐다"며 이같이 밝혔다. 

이번 간담회에는 곽노정 대표를 비롯한 SK하이닉스 주요 경영진이 참석해 AI 메모리 기술력과 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 발표했다.

곽 사장은 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스(On-Device) AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "이에 따라 AI에 특화된 '초고속·고용량·저전력' 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 말했다. 그러면서 "SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 있다"고 강조했다. 

이날 SK하이닉스는 오는 3분기부터 HBM3E 12단 제품을 양산하겠다고 공식 선언했다. 후발 주자인 삼성전자(005930)가 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품을 올해 2분기 내 양산한다고 밝힌 데 따른 맞대응이다. 

이와 관련해 곽 사장은 "고객 니즈에 맞는 기술을 적기에 개발하고 거기에 맞는 생산능력(캐파)도 고객 니즈에 맞춰 준비할 것"이라며 "자만하거나 방심하지 않고 페이스에 맞춰 긴밀히 협력하면서 니즈에 부합할 수 있는 제품을 공급할 수 있도록 하겠다"고 말했다. 

그러면서 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 'MR-MUF'에 대한 자신감을 드러냈다.

최우진 P&T 담당 부사장은 "일각에서는 MR-MUF 기술이 고단 적층에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만, 실제로는 그렇지 않다"며 "우리는 어드밴스드 MR-MUF 기술로 이미 HBM3(4세대) 12단 제품을 양산하고 있다"고 밝혔다. 

이어 "최근 도입한 어드밴스드 MR-MUF 방식은 신규 보호재를 이용해 방열 특성을 10% 개선했다"며 "칩의 휨 현상 제어에도 탁월한 고온·저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이며, 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중"이라고 설명했다. 

MU-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고 공정 시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며 열 방출도 45% 향상시킨다. SK하이닉스는 차세대(6세대) HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용할 계획이다.

SK하이닉스는 향후 HBM 시장 전망 관련, 일각에서 제기된 공급 과잉 우려를 일축했다. 

곽 사장은 "올해 늘어나는 HBM 공급 물량은 고객과 협의를 완료한 상황에서 고객 수요에 맞춰 공급량을 증가시키는 것"이라며 "HBM 시장은 기존(메모리)과 달리 고객 수요 기반으로 투자를 집행하는 측면이 강하고 과잉 투자를 억제할 수 있는 특징이 있다"고 설명했다. 

이어 "HBM4 이후가 되면 커스터마이징 니즈가 증가하며 트렌드화 되고 수주형 비즈니스로 옮겨갈 것이기 때문에 과잉 공급에 대한 리스크는 줄어들 것으로 예상된다"고 덧붙였다.

그는 또 "다양한 AI 플레이어들이나 잠재 고객들과 사업 영역을 확대하고 있고, 최근에는 CSP(클라우드 서비스 제공업체) 업체들의 AI 서버 투자가 확대되는 등 추가 수요가 있을 것으로 예상된다"며 "올해 이후 HBM 시장은 중장기적으로도 연평균 60% 정도의 수요 성장이 있을 것으로 생각한다"고 말했다.