삼성전자, 모바일D램도 90나노 공정 도입

모든 D램제품군 적용…3차원 그래픽-디지털 화상에 필수

삼성전자가 512Mb 모바일 D램에도 세계 최초로 90나노 공정을 적용, D램 모든 제품군의 90나노 공정 양산을 실현했다고 10일 밝혔다.

삼성전자는 DDR, DDR2, 그래픽 D램에 이어 모바일 D램의 90나노 공정은 나노급 D램 기술에서 최고의 위치에 있음을 다시 한번 입증한 것으로 평가했다.

이에 삼성전자는 모바일 D램에 90나노 공정을 적용함으로써 크게 확대되고 있는 모바일 D램의 시장 수요에 적극 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

90나노 공정을 적용할 경우 110나노 공정에 비해 40%의 생산성 향상이 가능해 미세 공정일 수록 회로선폭이 좁아져 한장의 웨이퍼에서도 그만큼 더 많은 반도체를 생산할 수 있다.

모바일 D램은 모바일 기기에서 최적화된 D램으로, 기존에는 주로 휴대폰에 주로 사용됐지만 최근 휴대용 게임기, 디지털카메라, PDA 등 최신 모바일 기기의 사용이 크게 확대되면서 모바일 D램 시장의 수요도 급증하고 있는 상황이다.

삼성전자가 이번에 양산하는 90나노 512Mb 모바일 D램은 지난 1월 개발된 제품으로, 업계 최고 속도인 1.3GByte/s를 자랑하며 휴대폰의 고화질 3차원 그래픽과 500만화소 이상 디지털카메라의 화상 구현을 위해서는 1GByte/s 이상의 데이터 처리 속도와 512Mb 이상의 대용량이 필수제품이다.

삼성전자는 이같은 시장 경향에 맞춰 512Mb 모바일 D램을 2개 적층한 1Gb 모바일 D램도 생산할 계획이다.

시장조사기관인 데이터퀘스트에 따르면 모바일 D램의 최대 수요처인 고성능 3세대 휴대폰 시장은 2010년까지 연평균 31.5% 성장하고, 휴대폰향 D램 시장은 연평균 125%의 폭발적 성장률을 보일 것으로 예상되고 있다.

삼성전자 관계자는 “초소형인 모바일 D램에서도 90나노 공정을 실현한 것은 삼성전자 미세 공정의 기술력의 쾌거”라며 “이로써 낸드플래시에 이어 삼성의 D램의 전 제품도 90나노 시대에 접어들게 됐다”고 강조했다.

한편 삼성전자는 지난 2003년 세계 최초로 90나노 공정을 낸드플래시 양산에 적용시켰고, 지난달에는 70나노 공정 D램 개발에도 성공, 초미세 D램 공정기술을 선도하고 있다.