[프라임경제] 삼성전자는 13일 세계 최초로 관통전극형칩 접속방식의 차세대 패키지 기술인
WSP(Wafer-level processed Stack Package)를 적용한 ‘8단 적층 낸드플래시 복합칩’ 개발에 성공했다고 밝혔다.
삼성전자는 이번에 개발한 관통전극형칩 접속 기술이 웨이퍼를 수직으로 관통하는 홀을 통해 칩끼리 직접 접속 하는 새로운
방식의 차세대 패키지(WSP) 기술이라고 설명했다.
삼성전자의 차세대 패기지 기술(WSP)은 와이어 본딩을 이용해 칩을 연결한다는 기존의 고정관념에서 탈피, 웨이퍼를 관통하는
구멍을 통해 칩을 연결하는 창의적인 방식을 적용한 것으로 반도체 패키지 기술의 새로운 지평을 연 것으로 평가받고
있다.
삼성은 이번 WSP 기술의 핵심인 관통전극 구현을 위해 일반적인 드라이 에칭 대신 삼성 독자기술인 레이저 드릴링
방식을 채택, 포토에칭 등 ‘패터닝’ 공정을 생략함으로써 제조원가 절감도 기대된다고 전했다.
WSP 패키지는 칩 간격이나
와이어 연결을 위한 공간이 불필요해 전체 두께를 MCP(Multi Chip Package) 제품 대비 30% 감소, 실장면적 15% 축소가
가능한 것이 특징이다.
삼성은 칩 연결을 위한 배선에 고밀도 쇼트와이어를 적용, 동작속도 30% 이상 빨라져 패키지
사이즈는 소형화 하면서, 대용량 고성능의 최첨단 복합칩 솔루션이 가능해 졌다고 설명했다.
삼성전자는 “이번에
개발한 WSP 기술을 이용해 50㎛ 두께의 2Gb 낸드 플래시 8개를 적층, 전체 두께가 560㎛ 에 불과한 16Gb의 대용량 제품을 개발하는데
성공했으며, 향후에는 8단 적층기준, 320㎛ 두께의 초박형제품 개발도 지속 추진할 계획”이라고 밝혔다.
또한 “07년
초 본격양산을 통해 모바일 컨슈머 제품에 채택되는 낸드 기반 초소형 고용량 메모리 카드 등에 우선 적용할 것이며 향후 고성능이 요구되는 서버향
D램 모듈은 물론, 고성능 SiP 솔루션에까지 그 영역을 확대해 나갈 것”이라고 덧붙였다.
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