[프라임경제] 삼성전자가 차세대 주력 메모리 제품군으로 집중 육성하고 있는 원낸드에 70나노 시대를 열었다.
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삼성전자는 현재 128메가비트(Mega bit)부터 4기가비트(Giga bit)까지 다양한 용량의 원낸드를 양산중이며, 일부 저용량 제품을
제외한 全 제품에 90나노 공정을 적용해 양산 중이다.
이에 따라 작년 5월부터 70나노 공정을 적용한 낸드플래시에 이어 원낸드까지 70나노 공정 전환에
성공함으로써 주력 메모리 제품군인 '낸드플래시-원낸드' 양 제품을 모두 최첨단 70나노 공정으로 양산하게 됐다.
삼성전자는 70나노 원낸드의 특징을 읽기 속도가 '108MByte/초' (기존: 68MByte/초)에 달해 기존 90나노 제품에 비해
60% 정도 데이터 처리 속도가 빨라졌으며, 생산성도 70%나 향상된 것이라고 설명했다.
삼성전자 관계자는
“70나노 원낸드 양산으로 메모리 제품 차별화 및 원가 경쟁력을 한층 강화했다”며 “세트업체 입장에서도 제품성능향상과 슬림화에 크게 기여할 수
있을 것으로 기대된다” 고 말했다.
낸드와 노어의 장점을 모두 갖춘 원낸드는 고용량, 초고속 부팅기능, 고속의
읽기 및 쓰기속도 등 우수한 제품 성능을 바탕으로 모바일 시장에서 우수성을 인정받고 있으며 최근 들어 디지털카메라, 셋톱박스, 디지털TV 등
다양한 응용분야로 시장을 넓혀 가고 있다.
한편 삼성전자는 지난달 대만에서 개최한 '삼성 모바일 솔루션 포럼'
에서 원낸드 탑재형 초고속 메모리카드를 소개하며, 휴대폰 등 모바일 기기의 임베디드 시장에 국한됐던 원낸드가 외장
메모리카드까지 확대되고 있음을 시사한 바 있다.
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