[프라임경제] 반도체 소자가 고집적화되고 미세화됨에 따라 반도체 회로를 구분하는 STI(Shallow Trench Isolation)공정이 반도체 소자분리 기술로 각광받고 있다.
STI공정은 반도체 기판에 트렌치를 형성하고 트렌치 내부를 절연막으로 매립함으로써 소자분리막을 형성하는 기법으로 종래의 소자분리기술에 비해 소자분리특성이 우수하고 점유 면적도 작아 반도체 소자의 고집적화에 적합한 기술이다.
한편 특허청은 최근 5년간(2001.1~2005.6) 국내에서 출원된 반도체 소자 분리 기술 특허는 총 2007건으로 이 가운데 1152건이 특허를 받았다고 밝혔다.
특허 출원된 기술로는 STI 공정 개선에 관한 내용이 대부분을 차지하고 있다. 세부 기술로는 보이드(void) 발생 없이 절연막 매립 특성을 향상시키는 기술, STI 경계부에서의 누설 전류를 방지하기 위한 기술 및 모트(moat) 발생을 억제하는 기술 등이 있다.
출원인별로는 하이닉스(987건), 동부아남(357건), 삼성전자 (202건), 매그나칩(151건)등 4개사가 전체 소자 분리 기술분야 출원의 84.6%를 차지했고, 외국 기업으로는 일본의 미쓰비시가 39건으로 가장 많았다.
특허등록은 하이닉스(421건), 삼성전자(153건), 동부아남(148건), 미쓰비시(43건) 순으로 나타났다.
또한 최근 3년(2001년~2003년)간 반도체 전체 출원에서 우리나라의 소자 분리기술이 차지하는 비율은 5.2%로 일본(4.1%)과 미국 (2.0%)에 비해 다소 높은 것으로 조사됐다.
국내에서 우리기업의 소자분리 분야 출원은 87.6%로 나타났다. 이는 반도체 전체 출원에서 국내 기업이 차지하는 비율(74.6%)보다도 높은 것이며, 일본(81.1%)과 미국( 50.9%)에 비해서도 월등한 것이다.
외국에서 우리 기업의 출원비율도 비교적 높은 편에 속했다
지역별로는 일본에서 8.3%(272건), 미국에선 14.0%(94건)로
조사됐다. 이는 일본(6.9%. 113건)과 미국(4.8%. 78건) 기업이 우리나라에 출원한 비율 보다 높은 것으로, 국내 기업의 해외 출원이
활발히 이루어지고 있음을 보여주고 있다.
특허청 관계자는 “반도체 소자의 전체 면적에서 소자 분리 영역이 차지하는 비율이 크기 때문에 소자 분리 영역의 축소는 반도체 소자의
고집적화, 미세화를 결정하는 중요한 기술”이”라며“향후에도 소자 분리 기술에 대한 연구가 활발히 이루어질 것으로 전망된다”고
밝혔다.
