[프라임경제] 올해 전세계 반도체 팹 장비 투자액이 역대 최대치인 630억달러(66조9000억원)를 기록할 것으로 전망된다. 특히 국내 기업인 삼성전자(005930)와, SK하이닉스(000660)의 팹 투자 규모 증가폭이 큰 것으로 나타났다.
3일 SEMI 세계 팹 전망 데이터에 따르면, 올해 팹 장비 투자액은 전년(570억달러) 대비 11% 증가한 630억달러(66조9000억원)로 예상된다. 이는 역대 최고치로, △높은 반도체 수요 △메모리 가격 강세 △치열한 경쟁 등이 높은 수준의 팹 투자를 주도하는 원동력으로 작용한 것으로 분석된다.
지난해에 이어 올해도 삼성전자와 SK하이닉스의 팹 투자가 눈에 띈다.
삼성전자는 지난해 전년(80억달러) 대비 128% 증가한 180억달러(19조1600억원), SK하이닉스는 같은 기간 70% 증가한 55억달러(5조8500억원)를 팹 장비에 투자한 것으로 관측된다. 두 회사의 투자액은 올해도 유사한 수준을 기록할 것으로 보인다는 게 SEMI 관계자의 전언이다.
이를 통해, 두 회사가 전세계 팹 장비 투자액의 60% 이상을 점유하고 있다는 것을 알 수 있다.
지난해 중국에 건설된 팹 내 장비 도입도 본격화 될 것으로 전망된다.
지금껏 중국 내 팹 투자 대부분은 비(非) 중국계 기업이 대다수였지만, 올해 들어 중국계 디바이스 제조업체도 대규모 투자를 진행할 것으로 예상된다. 예상 투자금액은 중국계 기업 58억달러, 비 중국계 업체 67억달러다.
현재 양쯔강메모리테크놀로지(Yangtze Memory Technology), 푸젠진화반도체(Fujian Jin Hua), 후아리 마이크로일렉트로닉스(Hua Li) 허페이창신 메모리(Hefei Chang Xin Memory) 등 다수의 신생 업체들이 이 지역에서 큰 규모의 투자를 하고 있다.
SEMI 관계자는 "지난해에 이어 올해까지 역대 최고 장비투자액을 기록한 것은 첨단 디바이스에 대한 수요가 증가하고 있음을 보여준다"며 "특히 이러한 투자는 신규 팹 건설을 위한 투자액의 전례 없는 증가에 뒤 이은 결과"라고 말했다.
