[프라임경제] 테스는 저온 화학기상증착에 의한 산화막 증착 방법에 대한 특허권을 취득했다고 10일 공시했다.
| 1. 특허명칭 | 저온 화학기상증착에 의한 산화막 증착 방법 |
| 2. 특허 주요내용 | 본 발명은 저온 화학기상증착에 의한 산화막 증착 방법에 관한 것으로, 기존의 퍼니스를 이용한 열산화 공정으로 형성하는 산화막의 막질과 유사한 산화막을 저온에서 CVD 공정으로 형성할 수 있다. 따라서, 기존의 퍼니스를 이용한 열산화 공정으로 산화막을 형성할 때 발생되는 열화를 방지할 수 있어 반도체 소자의 특성 저하를 방지할 수 있다. |
| 3. 특허권자 | 주식회사 테스 |
| 4. 특허취득일자 | 2011-01-10 |
| 5. 특허 활용계획 | 장비 개발 및 제조시 특허기술 적용을 통한 기술 및 원가경쟁력 강화 |
| 6. 확인일자 | 2011-01-10 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | - |
