[프라임경제] 삼성전자가 4년 연속 최다논문 채택의 위업을 달성하고 기존 한계로 여겨져 오던 40나노 이하 메모리 미세공정기술을 실현할 수 있는 신소자기술도 개발해 반도체신성장신화를 이어가게 됐다.
삼성전자는 ‘2006 VLSI 심포지엄’에서 초미세공정 신소자인 소노스(SONOS)와 타노스(TANOS)를 개발, 향후 메모리 초미세화 및 고집적화 달성의 발판을 마련했다.
삼성전자가 이번에 발표한 논문들은 최근 반도체 업계 주요 화두인 초미세 공정 및 초고용량 제품 구현의 한계를 돌파할 수 있는 차세대 핵심기술.
업계에서는 이제까지 기존 소자로는 셀간 간섭 현상 등으로 40나노 이하 초미세 공정 개발에 한계가 있을 것으로 예견돼 왔으며 이를 극복하기 위한 방법으로 절연막질 데이터를 저장하는 전하 기억 소자 소노스 (SONOS, Si/MTO(Oxide)/Nitride/Oxide/Si) 와 관련된 연구가 활발하게 진행되고 있다.
삼성전자는 이러한 업계 움직임에서 한 발 더 나아가, 기존 2차원 구조의 전하 기억 소자(소노스, SONOS)를 2단으로 쌓은 3차원 구조의 소자를 개발하여 셀당 4개의 데이터를 저장할 수 있는 ‘4비트 2중소노스 기술’을 확보, 앞으로의 메모리 미세화 및 용량 한계 극복에 박차를 가하고 있다.
이번에 개발된 소노스는 신공정 및 신물질 도입 없이도 원하는 특성을 획득해 양산단계에서 타 경쟁사 대비 확실한 기술 우위를 점할 것으로 예상된다.
삼성전자는 기존의 소노스 소자 막질 중 윗 부분의 실리콘(Si) 대신 탄탈(Ta)이라는 고유전 물질을 적용한 신소자인 타노스 (TANOS, Ta/AlO(Oxide)/Nitride/Oxide/Si) 개발을 통해 기존의 차세대 기억 소자인 소노스 대비 쓰기·지우기 특성을 대폭 향상시키는 성과를 거뒀다고 평가했다.
